电池片的检验
一十三、印刷图型
主栅线：
***：主栅线容许有轻度断开、缺少、歪曲、突显，断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的5%，歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm，不容许有掉色状况（烧糊、变黄）
新的规范：主栅大小匀称，不容许有断开，缺少、歪曲及其突显。
B级：断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的10%，歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm，不容许有掉色状况（烧糊、变黄）
新的规范：主栅大小匀称，容许有断开，缺少总面积不超出主栅线总面积的5%，歪曲突显不超出一切正常部位的0.2mm，不容许有掉色状况（烧糊、变黄）
C级：断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的20%，歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm，不容许有掉色状况
新的规范：主栅线：断开，缺少总面积不超出主栅线总面积的20%，歪曲、突显不超出一切正常部位的0.5mm，
副栅线：
***：副栅线容许大小不匀称，存有总宽超过0.13mm，低于18mm的副栅线，段栅线≤6条，断开间距≤2mm，容许有轻度虚印、缺印，总面积低于电级占地面积的5%.
新的规范：副栅线清楚，容许有两根栅线存有断开，断掉总数≤3条，断掉间距≤0.5mm；不容许有一切虚印、粗点；不容许有掉色状况。
B级：容许大小不匀称，存有总宽≤0.25mm的副栅线，段栅线≤10条，断开间距≤2mm，容许有轻度虚印、缺印，回收实验板多晶硅，总面积低于电级占地面积的10%.
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外扩散种类
1.稳定源外扩散：在稳态外扩散的标准下，企业時间内根据垂直平分外扩散方位的企业总面积的外扩散品质与该横截面处的浓度梯度正比。
2.限制源外扩散：在再遍布全过程中，外扩散是在限制源的标准下进有的，全部外扩散全过程的残渣源，限制于外扩散前积淀在硅片表层的***限薄层内的残渣总产量，沒有外地人残渣填补即在硅片表层处的残渣流相对密度。
生产车间应用的是二步外扩散：预淀积外扩散。预扩散是稳定源外扩散，关键是促使硅片表层汽体浓度值相同，维持整批方块电阻是匀称性。主外扩散是限制源外扩散，而且在主外扩散后进入大氮汽体，做为推动汽体，增加PN结深度。
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背电场：
A 级：
背电场完整，厚薄均匀，允许有缺失，缺失面积不超过背电场总面积的 5% ，变色面积不超过背电场面积的 15% 。
新的标准：背电场完整，厚薄均匀，不允许有缺失
B 级：
允许有缺失，缺失面积不超过背电场总面积的 10% ，变色面积不超过背电场面积的 30% 。
新的标准：允许有缺失，缺失面积不超过背电场总面积的 5% ，变色面积不超过背电场面积的 15% 。
C 级：
允许有缺失，缺失面积不超过背电场总面积的 10% ，变色面积不超过背电场面积的 50% 。
新的标准：缺失面积不超过背电场总面积的 5% ，变色面积不超过背电场面积的 50% 。
粗点：
A 级：
粗点宽度≤ 0.18mm ，个数小于 2 个
新的标准：不允许有粗点
B 级：
粗点宽度≤ 0.25mm ，个数小于 5 个
新的标准：允许有粗点，粗点宽度≤ 0.18mm ，个数小于 2 个
C 级：
粗点宽度≤ 0.3mm ，个数小于 8 个
新的标准：当主栅线或副栅线有明显粗细不均时，应用刻度显微镜进行查检。
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