条宽损失 (Etch bias) 过蚀刻 (Over etch) – 在平均膜厚完全蚀刻掉以后的额外蚀刻。补偿蚀刻速率和膜厚的不均匀 性。 残留物 (Residues) – 在蚀刻和平版印刷过程中无意留下的物质。 微掩膜（Micro-masking）-- 由于微粒，薄膜掺杂以及残留物产生的无意留下的掩膜。 糊胶（Resist reticulation）-- 温度超过 150 摄氏度时光刻胶产生的燃烧和折皱。 纵横比（Aspect ratio）-- 器件结构横截面深度和宽度的比率。
负载（Loading）-- 蚀刻速率依赖于可蚀刻表面数量，金属蚀刻标牌价格，可在宏观或微观尺寸下。 纵横比决定蚀刻（Aspect Ratio Dependent Etching/ARDE）--蚀刻速率决定于纵横比。 终点（Endpoint）-- 在一个蚀刻过程中，平均膜厚被蚀刻干净时的时间点。 光刻胶（Photo-resist）-- 作为掩膜用来图形转移的光敏材料。 分辨率（Resolution）-- 用于测试光学系统把相邻的目标形成分离图像的能力。 焦深 (Depth of focus) – 在焦平面上目标能形成影像的纵向距。 关键尺寸（Critical dimensi-CD）-- 一个特征图形的尺寸，包括线宽、间隙、或者 关联尺寸。
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