单向可控硅有阳极A、阴极K、操控极G三个引出脚
单向可控硅有阳极A、阴极K、操控极G三个引出脚。双向可控硅有榜首阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、操控极G三个引出脚。只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，一起操控极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。此刻A、K间呈低阻导通状况，阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后，操控器G即便失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍坚持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状况。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发作改动（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状况转换为高阻截止状况。单向可控硅一旦截止，即便阳极A和阴极K间又从头加上正向电压，仍需在操控极G和阴极K间有从头加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状况相当于开关的闭合与断开状况，用它可制成无触点开关。
可控硅主要技术参数:1、额定通态电流也是*大稳定工作电流
可控硅主要技术参数：
1、额定通态电流也就是*大稳定工作电流，俗称电流，常用可控硅的额定通态电流一般为一安到几十安。
2、反向重复峰值电压（VRRM）或者断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压，常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。
3、控制极触发电流（IGT），俗称触发电流，常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。
4、额定正向平均电流。也就是在规定温度和散热条件下，允许通过阴极和阳极的电流平均值。
可控硅模块温度保护显得尤为必要
可控硅与其他设备一样，在实际使用时会因为自身功耗出现发热的现象，在这种情况下，如果不采取适当措施将热量散热出去，就会引起模块管芯PN结温度急剧上升，使得器件特性恶化，导致完全损坏。所以，可控硅模块温度保护显得尤为必要。
一般来说，可控硅模块的功耗主要由导通损耗、开关损耗、门极损耗三部分组成，在工频或者400Hz以下频率的应用中主要的是导通损耗。为了确保器件长期可靠地工作，设计时散热器及其冷却方式的选择与电力半导体模块的电流电压的额定值选择同等重要，千万不可大意！散热器的常用散热方式有：自然风冷、强迫风冷、热管冷却、水冷、油冷等。考虑散热问题的总原则是：控制模块中管芯的结温不超过产品数据表给定的额定结温。
可控硅模块受损原因分析
可控硅模块受损原因
1、电压击穿。
可控硅模块不能承受电压而损坏，在其芯片中有一个光洁的小孔，有时需要用扩大镜才能看到，其原因可能是管子本身耐压下降或者是被电路断开时产生的高电压击穿。
2、电流损坏。
如果芯片被烧成一个凹坑，并且非常粗糙，其位置在原理控制极上，这种往往就属于电流损坏。
3、电流上升率损坏。
如果上述芯片凹坑位置在控制极附近或者是就在控制极上，那么可能就是电流上升率损坏所致。
4、边缘损坏。
这种受损发生在芯片芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。
