可控硅和其它半导体器件的区别
可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两可控硅反向连接而成。它的功用不仅是整流，还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。
可控硅模块(semiconductormodule)
可控硅模块通常被称之为功率半导体模块（semiconductormodule）。早是在1970年由西门康公司将模块原理引入电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。
可控硅模块的优点体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装；结构重复性好，装置的机械设计可以简化，价格比分立器件低等诸多优点，因而在一诞生就受到了各大电力半导体厂家的热捧，并因此得到长足发展。
可控硅模块受损原因分析
可控硅模块受损原因
1、电压击穿。
可控硅模块不能承受电压而损坏，在其芯片中有一个光洁的小孔，有时需要用扩大镜才能看到，其原因可能是管子本身耐压下降或者是被电路断开时产生的高电压击穿。
2、电流损坏。
如果芯片被烧成一个凹坑，并且非常粗糙，其位置在原理控制极上，这种往往就属于电流损坏。
3、电流上升率损坏。
如果上述芯片凹坑位置在控制极附近或者是就在控制极上，那么可能就是电流上升率损坏所致。
4、边缘损坏。
这种受损发生在芯片芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。
可控硅模块失控是怎么回事?
可控硅模块失控是怎么回事？
可控硅模块也被称之为功率半导体模块，体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单，便于维修和安装，具有诸多优点，深受用户青睐。但是，在实际应用中，可控硅模块有时也会因为各种原因失控，那么，导致可控硅模块失控的原因有哪些呢？
首先，一个原因，可能就是可控硅的正向阻断力降低，比如说在日常使用中，可控硅模块长时间安放不用，同时，又因为密封不好，很可能会受潮，这种情况下的正向阻断能力就会降低，如果降低到低于整流变压器的二次电压，可控硅模块就可能会失控了。
其次，一个原因往往就是电路中的维持电流过小所致，因为发电机转子是以电感为主的大电流负载，对于半控桥来说，电压过零之后，电流不是零，即使半控桥在电感负载侧设有续流管，不过要是续流管的管压降高于导通的可控硅模块的管压降，电感上的电流除了大部分从续流管流过之外，仍然会有部分电流在原导通的可控硅过。
