




在今天,讨论化学气相沉积与物***相沉积的不同点,恐怕只剩下用于镀膜物料形态的区别,前者是利用易挥发性化合物或气态物质,而后者则利用固相(或液相)物质。这种区分似乎已失去原来定义的内涵实质。
我们仍然按照已有的习惯,主要以上述镀料形态的区别来区分化学气相沉积和物***相沉积,把固态(液态)镀料通过高温蒸发、溅射、电子束、等离子体、离子束、激光束、电弧等能量形式产生气相原子、分子、离子(气态,等离子态)进行输运,在固态表面上沉积凝聚(包括与其他反应气相物质进行化学反应生成反应产物),气相沉积设备,生成固相薄膜的过程称为物***相沉积。
(1)化学气相沉积(CVD)反应温度一般在900~1200℃,中温CVD例如MOCVD(金属有机化合***学气相沉积),反应温度在500~800℃。若通过气相反应的能量,还可把反应温度降低。
(2)常压化学气相沉积(NPCVD)或大气压下化学气相沉积(APCVD)是在0.01—0.1MPa压力下进行,低压化学气相沉积(LPCVD)则在10-4 MPa下进行。CVD或辉光放电CVD,是低压CVD的一种形式,其优点是可以在较低的基材温度下获得所希望的膜层性能。
工艺特点
(1)广泛应用于金属涂层、陶瓷涂层、无机涂层材料等。
(2)在产量方面,从单件到大批量皆可。
(3)有质量优势,气相沉积设备价格,沉积温度低,薄膜成份易控,化学气相沉积设备厂家,膜厚与淀积时间成正比,均匀性,重复性好,台阶覆盖性优良。
(4)工具涂层的生产效率不如PVD,石墨气相沉积设备厂家,具体取决于特定技术要求和辅助工艺。
4、适用材料
化学气相沉积曾是真空技术广泛用于陶瓷沉积的一种技术,特别是对工具涂层更是这样。
20世界80年代早期随着等离子体辅助PVD工艺的显露,CVD在工具方面的应用衰落了。但由于这种工艺具有非常好的渗入特性,其在CVI、ALE等领域的工艺中有着很好的应用前景,主要用于金属涂层、陶瓷涂层、无机涂层材料。
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