MOSFET Infineon Technologies IPT60R080G7XTMA1 全新原装*** 全系列优势产品 公司大量原装现货库存 欢迎来电咨询！！代理全系列英飞凌MOS管
| 安装风格: | ***D/***T | |
| 封装 / 箱体: | HSOF-8 | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 600 V | |
| Id-连续漏极电流: | 29 A | |
| *** On-漏源导通电阻: | 69 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 30 V | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 3 V | |
| Qg-栅极电荷: | 42 nC | |
| ***小工作温度: | - 55 C | |
| ***大工作温度: | + 150 C | |
| Pd-功率耗散: | 167 W | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 商标名: | ||
| 封装: | Cut Tape | |
| 封装: | Reel | |
| 配置: | Single | |
| 系列: | ||
| 晶体管类型: | 1 N-Channel | |
| 商标: | Infineon Technologies | |
| 下降时间: | 3.5 ns | |
| 湿度敏***: | Yes | |
| 产品类型: | MOSFET | |
| 上升时间: | 5 ns |