可控硅主要技术参数:1、额定通态电流也是*大稳定工作电流
可控硅主要技术参数：
1、额定通态电流也就是*大稳定工作电流，俗称电流，常用可控硅的额定通态电流一般为一安到几十安。
2、反向重复峰值电压（VRRM）或者断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压，常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。
3、控制极触发电流（IGT），俗称触发电流，常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。
4、额定正向平均电流。也就是在规定温度和散热条件下，允许通过阴极和阳极的电流平均值。
可控硅模块温度保护显得尤为必要
可控硅与其他设备一样，在实际使用时会因为自身功耗出现发热的现象，在这种情况下，如果不采取适当措施将热量散热出去，就会引起模块管芯PN结温度急剧上升，使得器件特性恶化，导致完全损坏。所以，可控硅模块温度保护显得尤为必要。
一般来说，可控硅模块的功耗主要由导通损耗、开关损耗、门极损耗三部分组成，在工频或者400Hz以下频率的应用中主要的是导通损耗。为了确保器件长期可靠地工作，设计时散热器及其冷却方式的选择与电力半导体模块的电流电压的额定值选择同等重要，千万不可大意！散热器的常用散热方式有：自然风冷、强迫风冷、热管冷却、水冷、油冷等。考虑散热问题的总原则是：控制模块中管芯的结温不超过产品数据表给定的额定结温。
可控硅模块的三个极性该如何判断?
可控硅模块的三个极性该如何判断？
1、用万用表的Rx1000Ω或Rx100Ω，分别测量各管脚间的正反向电阻，其中若测得两管脚的正反向电阻都很小，即为T1极和G极，余者为T2极。
2、T1极和G极的区分：任选其中一极为T1，将万用表拨至RX1Ω,不用分表笔的正负，分别将两笔至T2极和T1极(假设)。用和T2相接的表笔在保持和T2相接的情况下和G(假设)相接，这时会看到晶闸管的阻值明显变小，说明双向晶闸管可能因触发导通而处于通态，再在保持该表笔和T2相接的情况下和G极(假设)断开，如果晶闸管仍于通态，则对换两表笔，重复上述步骤。如果仍能使晶闸管处于通态，则假设是正确的，否则假设是错误的。这样就应该对换假设的两极再重复上述的步骤。
