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若将反应气体导入蒸发空间，便可在工件表面沉积金属化合物涂层，这就是反应性离子镀。由于采用等离子活化，工件只需在较低温度甚至在室温下进行镀膜，完全保证零件的尺寸精度和表面粗糙度，因此，可以安排在工件淬火、回火后即后一道工序进行。如沉积TiN或TiC时，基体温度可以在150-600℃范围内选择，温度高时涂层的硬度高，与基体的结合力也高。基体温度可根据基体材料及其回火温度选择，如基体为高速钢，可选择560℃，这样，对于经淬火、回火并加工到尺寸的模具加工，无需担心基体硬度降低及变形问题。另外，离子镀的沉积速度较其他气相沉积方法快，得到10mm厚的TiC或TiN涂层，一般只需要几十分钟。

CVD 制备铱高温涂层人们之所以对作涂层材料感兴趣是由于这类金属优良的性能 。铱具有较强的能力和较高的熔点而受到重视，镀膜设备， 是一种较理想的高温涂层材料 。

20 世纪 60 年代以来， 世界航空航天技术飞速发展，刀具镀膜设备，一些高熔点材料(如石墨碳和钨钼钽铌等难熔金属)被大量使用，但这些材料的一个共同的致命缺点是能力差。

60 年代美国材料实验室(AFML)对石墨碳的铱保护涂层进行过大量的研究， 采用了多种成型方法制备铱涂层 ，其中包括化学气相沉积法 。虽然没有制备出质量令人满意的厚铱涂层，真空镀膜设备厂， 但仍认为 CVD 是一种非常有希望且值得进一步研究的方法。

磁控溅射：在真空环境下，通过电压和磁场的共同作用，以被离化的惰性气体离子对靶材进行轰击，致使靶材以离子、原子或分子的形式被弹出并沉积在基件上形成薄膜。根据使用的电离电源的不同，导体和非导体材料均可作为靶材被溅射。

离子束DLC：碳氢气体在离子源中被离化成等离子体，在电磁场的共同作用下，离子源释放出碳离子。离子束能量通过调整加在等离子体上的电压来控制。碳氢离子束被引到基片上，真空镀膜设备生产厂家，沉积速度与离子电流密度成正比。星弧涂层的离子束源采用高电压，因而离子能量更大，使得薄膜与基片结合力很好；离子电流更大，使得DLC膜的沉积速度更快。离子束技术的主要优点在于可沉积超薄及多层结构，工艺控制精度可达几个埃，并可将工艺过程中的颗料污染所带来的缺陷降至。