物***相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤：
(1)镀料的气化：即使镀料蒸发，异华或被溅射，也就是通过镀料的气化源。
(2)镀料原子、分子或离子的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后，产生多种反应。
(3)镀料原子、分子或离子在基体上沉积。
认识PVD物***相沉积技术
物***相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域，可制备具有耐磨、耐腐饰、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层。
气相沉积主要分为两大类：
化学气相沉积(，简称CVD)；
物***相沉积(，简称PVD)。
，人们利用易挥发的液体TiCI稍加热获得TiCI气体和NH气体一起导入高温反应室，让这些反应气体分解，再在高温固体表面上进行遵循热力学原理的化学反应，生成TiN和HCI，HCi被抽走，TiN沉积在固体表面上成硬质固相薄膜。人们把这种通过含有构成薄膜元素的挥发性化合物与气态物质，在固体表面上进行化学反应，且生成非挥发性固态沉积物的过程，称为化学气相沉积(，CVD)。
镀膜设备生产
PCVD工艺具有广泛的用途。
（1）超硬膜的应用（TiN、TiC、TiCN、（TiAl）N、C-BN等）PCVD法宜于在外形复杂、面积大的工件上获得超硬膜，沉积速率可达4～10μm/h，硬度大于2000HV，绕镀性好，工件不需旋转就可得到均匀的镀层。大量应用于切削刀具、磨具和耐磨零件。
（2）半导体元件上尽缘膜的形成过往半导体元件上的尽缘膜大多用SiO2，现在用SiN4 H2用PCVD法来形成Si3N4，Si3N4的尽缘性、性、耐酸性、耐碱性，比SiO2强，从电性能及其掺杂效率来讲都是的，特别是当前的高速元件GaAs尽缘膜的形成，高温处理是不可能的，只能在低温下用等离子法进行沉积。
随着市场和研究人员的要求，随着基于传统工艺的新系统的出现，新的涂料性能得到了发展。即使通过蒸发工艺获得的沉积速率是理想的，但事实是，溅射沉积技术在质量和沉积速率方面取得了无疑的进步，响应了对此领域感兴趣的行业和研究人员的需求，甚至用作中间层，用于通过化学气相沉积（CVD）获得的其他涂层。
CVD是另一种在真空下沉积的方法，并且是使待沉积材料中的挥发性化合物与其他气体发生化学反应的过程，以产生沉积在基材上的非挥发性固体。
