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电池片差别
太阳电池开始面世的是单晶硅太阳电池。硅是宇宙上极丰富多彩的这种原素，基本上满地常有硅的存有，百口莫辩取之不竭，用硅来生产制造太阳电池，原材料可以说不缺。可是提炼出它却不易，因此大家在生产制造单晶硅太阳电池的一起，又科学研究了多晶硅太阳电池和非晶硅太阳电池，迄今商业服务经营规模生产制造的太阳电池，都还没跳出来硅的系列产品。我觉得能够生产制造太阳电池的半导体器件许多，随之原材料工业生产的发展趋势、太阳电池的种类将很多。现阶段已开展科学研究和研发的太阳电池，除硅系列产品外，也有***、***化***、铜铟硒等很多种类的太阳电池，不胜枚举，下列详细介绍几类较普遍的太阳电池。归类单晶硅太阳电池。
电池片的制作工艺
振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：高价回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，el测试不良光伏辅料回收，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，***偿还，返工，光伏模块回收等。
刻蚀工艺
刻蚀目的
将硅片边缘的带有的磷去除干净，避免 PN 结短路造成并联电阻降低。
刻蚀原理
采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应， 采用高频辉光放电反应，使反应气体***成活性粒子，如原子或各种游离基，这些活性粒子扩散到硅片边缘，在那里与硅进行反应，形成挥发性生成物***而被去除。
化学公式： CF 4 SIO 2 =SIF 4 CO 2
工艺流程
预抽，主抽，送气，辉光，抽空，清洗，预抽，主抽 ，充气。
影响因素
1. 射频功率
射频功率过高：等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区（耗尽层）造成的损伤会使得结区复合增加。
射频功率太低：会使等离子体不稳定和分布不均匀，从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致并联电阻下降。
2. 时间
刻蚀时间过长：刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大，时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区，回收晶体硅光伏辅料，从而导致损伤区域高复合。
刻蚀时间过短：刻蚀不充分，没有把边缘鳞去干净， PN 结依然有可能短路造成并联电阻降低。
4. 压力
压力越大，气体含量越少，参与反应的气体也越多，刻蚀也越充份。
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中国应用充电电池现况中国应用数多的工业生产充电电池为铅酸蓄电池，铅占电瓶固定成本50%左右，关键选用火法、湿法冶金加工工艺及其固相电解法复原技术性。机壳为塑胶，能够再造，基础保持无污染。
中小型再次充电电池现阶段中国的应用总产量只能上亿只，且大部分容积较小，废旧电池运用使用价值较低，再加应用分散化，绝大多数作城市垃圾处理，其收购存有着成本费和管理工作的难题，再造运用也存有必须的技术性难题。
废旧电池做为生活垃圾处理开展集中处理时，废旧电池中的Hg、Cd、Pb、Zn等金属镉部分在高溫下人空气，部分变成脱硫石膏，造成污染。
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