化学气相沉积（Chemical Vapor Deition,简称CVD），也即化学气相镀或热化学镀或热解镀或燃气镀，属于一种薄膜技术。常见的化学气相沉积工艺包括常压化学气相沉积（NPCVD），低压化学气相沉积（LPCVD），大气压下化学气相沉积（APCVD）。
镀膜机工艺在平板显现器中的运用一切各类平板显现器都要用到各品种型的薄膜，并且简直一切类型的平板显现器材都需求运用ITO膜，以满意通明电器的请求。能够毫不夸张的说：没有薄膜技能就没有平板显现器材。
总之，化学气相沉积就是，利用气态物质在固体表面上进行化学反应，生成固态沉积物的过程。其过程如下：
（1）反应气体向工件表面扩散并吸附。
（2）吸附于工件表面的各种物质发生表面化学反应。
（3）生成物质点聚集成晶核并长大。
（4）表面化学反应中产生的气体产物脱离工件表面返回气相。
（5）沉积层与基体的界面发生元素的相互扩散，而形成镀层。
CVD法是，将工件置于有氢气保护的炉内，加热到800℃以上高温，向炉内通入反应气体，使之在炉内热解，化合成新的化合物沉积在工件表面。在模具的应用中，其覆膜厚度一般为6-10μm。
（1）化学气相沉积（CVD）反应温度一般在900~1200℃，中温CVD例如MOCVD（金属有机化合***学气相沉积），反应温度在500~800℃。若通过气相反应的能量，还可把反应温度降低。
“辅助”CVD的工艺较多，主要有：
① 电子辅助CVD（EACVD）（也称为电子束辅助CVD，电子增强CVD，或电子束诱导CVD），涂层的形成在电子作用下得到改进。
② 激光辅助CVD（LACVD)，也称为激光CVD或光子辅助CVD，涂层的形成在激光辐照作用下得到改进。
③ 热丝CVD，也称为热CVD，一根热丝放在被镀物件附近进行沉积。
④ 金属有机化合物CVD（MOCVD），是在一种有机金属化合物气氛（这种气氛在室温时是稳定的，但在高温下分解）中进行沉积。
溅射是物***相沉积技术的另一种方式，有人要问了溅射工艺是怎么实现的呢？
溅射的过程是由离子轰击靶材表面，使靶材材料被轰击出来的技术。整个过程是在真空腔体中完成的。溅射开始时将气充入真空腔体中形成低压气氛围，再通过使用高电压，产生辉光放电，加速离子到靶材表面。离子将靶材材料从表面轰击（溅射）出来，在靶材前面的被涂层工件上沉积下来，这整个过程就好像是在打台球。
