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金属箔(尤其是铜箔)上的化学气相沉积(CVD)是目前制备大面积高质量石墨烯薄膜具发展前景的方法生长在铜箔上的石墨烯薄膜中为什么会出现“adlayers”，发现薄膜中的碳杂质直接导致adlayers的成核和生长。通过使用飞行时间二次离子质谱和燃烧分析，发现商业铜箔有‘过量的碳’，尤其是在表面附近，深度约为300纳米。

物***相沉积（PVD）是一项众所周知的技术，广泛应用于薄膜沉积，涉及许多方面，包括摩擦学性能改善，光学增强，视觉/美学提升以及许多其他领域，涉及范围广泛。已经建立的应用程序。加工工具可能是该沉积技术的常见应用之一，有时与化学气相沉积（CVD）结合使用，手机镀膜设备多少钱，以延长其使用寿命，减少摩擦并改善热性能。然而，CVD工艺在较高的温度下进行，镀膜设备生产，从而在涂层和基材中产生较高的应力，基本上仅在需要使用该工艺沉积所需的涂层时才使用。为了改进此技术，已进行了多项研究，以优化PVD技术，方法是增加等离子体电离，减少暗区（反应器中没有沉积物的区域），镀膜设备，改善靶材的使用，提高原子轰击效率，甚至提高沉积速率并优化气体选择。

射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PCVD）

在低压容器的两极上加高频电压则产生射频放电形成等离子体，射频电源通常采用电容耦合或电感耦合方式，其中又可分为电极式和无电极式结构，电极式一般采用平板式或热管式结构，优点是可容纳较多工件，但这种装置中的分解率远低于1%，即等离子体的内能不高。电极式装置设在反应容器外时，镜片镀膜设备，主要为感应线圈，如图5，也叫无极环形放电，射频频率为13.56MHz。