单向可控硅有阳极A、阴极K、操控极G三个引出脚
单向可控硅有阳极A、阴极K、操控极G三个引出脚。双向可控硅有榜首阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、操控极G三个引出脚。只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，一起操控极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。此刻A、K间呈低阻导通状况，阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后，操控器G即便失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍坚持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状况。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发作改动（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状况转换为高阻截止状况。单向可控硅一旦截止，即便阳极A和阴极K间又从头加上正向电压，仍需在操控极G和阴极K间有从头加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状况相当于开关的闭合与断开状况，用它可制成无触点开关。
电焊机可控硅模块的分类
可控硅模块的分类可控硅模块从X芯片上看，可以分为可控模块和整流模块两大类，从具体的用途上区分，可以分为：普通晶闸管模块（MTC\MTX）、普通整流管模块（MDC）、普通晶闸管、整流管混合模块（MFC）、快速晶闸管、整流管及混合模块（MKC\MZC）、非绝缘型晶闸管、整流管及混合模块（也就是通常所说的电焊机专用模块MTG\MDG）、三相整流桥输出可控硅模块（MDS）、单相（三相）整流桥模块（MDQ）、单相半控桥（三相全控桥）模块（MTS）以及肖特基模块等。
可控硅模块受损原因分析
可控硅模块受损原因
1、电压击穿。
可控硅模块不能承受电压而损坏，在其芯片中有一个光洁的小孔，有时需要用扩大镜才能看到，其原因可能是管子本身耐压下降或者是被电路断开时产生的高电压击穿。
2、电流损坏。
如果芯片被烧成一个凹坑，并且非常粗糙，其位置在原理控制极上，这种往往就属于电流损坏。
3、电流上升率损坏。
如果上述芯片凹坑位置在控制极附近或者是就在控制极上，那么可能就是电流上升率损坏所致。
4、边缘损坏。
这种受损发生在芯片芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。
