新北真空镀膜设备-拉奇纳米镀膜设备-饰品真空镀膜设备

若将反应气体导入蒸发空间，便可在工件表面沉积金属化合物涂层，这就是反应性离子镀。由于采用等离子活化，工件只需在较低温度甚至在室温下进行镀膜，完全保证零件的尺寸精度和表面粗糙度，因此，可以安排在工件淬火、回火后即后一道工序进行。如沉积TiN或TiC时，基体温度可以在150-600℃范围内选择，温度高时涂层的硬度高，与基体的结合力也高。基体温度可根据基体材料及其回火温度选择，饰品真空镀膜设备，如基体为高速钢，五金真空镀膜设备，可选择560℃，这样，对于经淬火、回火并加工到尺寸的模具加工，橡胶真空镀膜设备，无需担心基体硬度降低及变形问题。另外，离子镀的沉积速度较其他气相沉积方法快，得到10mm厚的TiC或TiN涂层，一般只需要几十分钟。

镀膜技能在刀具、模具等金属切削加工东西方面的运用。在生活中咱们会看到金***的、钴铜色的、黑色的等七杂八色的钻头、铣刀、模具等，新北真空镀膜设备，这些即是通过镀膜技能加工后的涂层东西。

（1）金***的是在刀具上涂镀了TiN、ZrN涂层。TiN是一代运用广泛的硬质层资料。

（2）黑色的是在切削东西上涂了TiC、CrN涂层。

（3）钴铜色的是在刀具上镀涂了TiALN涂层。

20世界80年代早期随着等离子体辅助PVD工艺的显露，CVD在工具方面的应用衰落了。但由于这种工艺具有非常好的渗入特性，其在CVI、ALE等领域的工艺中有着很好的应用前景，主要用于金属涂层、陶瓷涂层、无机涂层材料。

金属有机化合物CVD（MOCVD）工艺被广泛用于电子工业，例如生产AI和GaAs膜，当用于生长单晶材料膜时，这种工艺称为金属有机气相外延（MDVPE）。

原子层外延（ALE）CVD是一种CVD衍生方法，可以控制膜的成长，现在该工艺已用于生产电荧光膜。

物***相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤：

(1)镀料的气化：即使镀料蒸发，异华或被溅射，也就是通过镀料的气化源。

(2)镀料原子、分子或离子的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后，产生多种反应。

(3)镀料原子、分子或离子在基体上沉积。

认识PVD物***相沉积技术

物***相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域，可制备具有耐磨、耐腐饰、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层。