真空镀膜机主要指一类需要在较高真空度下进行的镀膜，具体包括很多种类，包括真空离子蒸发，磁控溅射，MBE分子束外延，PLD激光溅射沉积等很多种。主要思路是分成蒸发和溅射两种。
真空镀膜机工作的环境要求：
真空镀膜设备要在真空条件下工作，因此该设备要满足真空对环境的要求。真空对环境的要求，一般包括真空设备对所处实验室（或车间）的温度、空气中的微粒等周围环境的要求，和对处于真空状态或真空中的零件或表面要求两个方面。
化学气相沉积TiN
将经清洗、脱脂和氨气还原处理后的模具工件，置于充满H2（体积分数为99.99%）的反应器中，加热到900-1100℃，通入N2（体积分数为99.99%）的同时，并带入气态TiCl4（质量分数不低于99.0%）到反应器中，则在工件表面上发生如下化学反应：
2TiCl4（气） N2（气） 4H2（气）→2TiN（固） 8HCl（气）
固态TiN沉积在模具表面上形成TiN涂层，厚度可达3-10μm，副产品HCl气体则被吸收器排出。工艺参数的控制如下：
（1）氮氢比对TiN的影响
一般情况下，氮氢体积比VN2/VH2lt;1/2时，随着N2的增加，TiN沉积速率增大，涂层显微硬度增大；当VN2/VH2≈1/2时，沉积速率和硬度达到值；当VN2/VH2gt;1/2时，沉积速率和硬度逐渐下降。当VN2/VH2≈1/2时，所形成的TiN涂层均匀致密，晶粒细小，硬度，涂层成分接近于化学当量的TiN，而且与基体的结合牢固。因此，VN2/VH2要控制在1/2左右。
工具镀膜设备
以下是制备的必要条件：
① 在沉积温度下，反应物具有足够的蒸气压，并能以适当的速度被引入反应室；
② 反应产物除了形成固态薄膜物质外，都必须是挥发性的；
③ 沉积薄膜和基体材料必须具有足够低的蒸气压。
CVD技术是作为涂层的手段而开发的，但不只应用于耐热物质的涂·层，而且应用于高纯度金属的精制、粉末合成、半导体薄膜等，是一个颇具特征的技术领域，其工艺成本具体而定。
金属箔(尤其是铜箔)上的化学气相沉积(CVD)是目前制备大面积高质量石墨烯薄膜具发展前景的方法生长在铜箔上的石墨烯薄膜中为什么会出现“adlayers”，发现薄膜中的碳杂质直接导致adlayers的成核和生长。通过使用飞行时间二次离子质谱和燃烧分析，发现商业铜箔有‘过量的碳’，尤其是在表面附近，深度约为300纳米。
