PCVD工艺参数包括微观参数和宏观参数。微观参数如电子能量、等离子体密度及分布函数、反应气体的离解度等。宏观参数对于真空系统有，气体种类、配比、流量、压强、抽速等；对于基体来说有，沉积温度、相对位置、导电状态等；对于等离子体有，放电种类、频率、电极结构、输进功率、电流密度、离子温度等。以上这些参数都是相互联系、相互影响的。
一个真正的单层，即大面积石墨烯薄膜覆盖在大面积铜箔上。改进了化学气相沉积(CVD)生长方法，消除了石墨烯生长在铜箔上的所有碳杂质。这种均匀“”的单层单晶石墨烯有望被用作超高分辨率透射电镜成像和光学设备的超薄支撑材料。也可作为一种合适的石墨烯，以实现非常均匀的功能化，这将促使推动许多其他应用，特别是用于各种类型的传感器。
有时将此方法用作预涂层，目的是提高基材的耐久性，减少摩擦并改善热性能-这意味着人们可以在同一涂层中结合PVD和CVD层等沉积方法。
在数学建模和数值模拟方面也有大量研究有助于改善此过程，这可能是优于其他过程的优势。这些研究对改善反应堆的特性有很大的影响，从而导致未来的成本降低，以及对薄膜机械性能的改善。
由于磁控溅射技术的发展将集中在未来对这些特定反应器的改进上，因此这项工作已成为主要***。
当考虑电子束蒸发技术时，该方法涉及纯粹的物理过程，其中目标充当包含待沉积材料的蒸发源，该材料用作阴极。请注意，系统会根据电子束功率蒸发任何材料。通过在高真空下轰击电子，在高蒸气压下加热材料，并释放出颗粒。然后，在原子尺寸释放的粒子和气体分子之间发生冲突，该粒子插入反应器中，旨在通过产生等离子体来加速粒子。该等离子体穿过沉积室，在反应器的中间位置更强。连续压缩层被沉积，从而增加了沉积膜对基底的粘附力
