1、真空镀膜工艺在信息存储范畴中的运用薄膜资料作为信息记载于存储介质，有其得天独厚的优势：因为薄膜很薄能够疏忽涡流损耗；磁化回转极为敏捷；与膜面平行的双稳态状况简单保持等。为了更精细地记载与存储信息，必定要选用镀膜技能。
2、真空镀膜工艺在传感器方面的运用在传感器中，多选用那些电气性质相关于物理量、化学量及其变化来说，极为敏感的半导体资料。此外，其中大多数运用的是半导体的外表、界面的性质，需求尽量增大其面积，且能工业化、低报价制造、因而选用薄膜的状况许多。
离子镀，是在真空条件下，利用气体放电使气体或被蒸发物质离子化，在气体离子或蒸发物质离子轰击作用下，把蒸发物质或其反应物蒸镀在工件上。离子镀把辉光放电、等离子技术与真空蒸镀技术结合在一起，不仅明显地提高了镀层的各种性能，而且，大大扩充了镀膜技术的应用范围。
离子镀除兼有真空溅射的优点外，还具有膜层的附着力强、绕射性好、可镀材料广泛等优点。例如，利用离子镀技术可以在金属、塑料、陶瓷、玻璃、纸张等非金属材料上，涂覆具有不同性能的单一镀层、合金镀层、化合物镀层及各种复合镀层，而且沉积速度快（可达755m/min），镀前清洗工序简单，对环境无污染，因此，近年来在国内外得到了迅速的发展。
塑料纳米镀膜设备
PCVD工艺具有广泛的用途。
（1）超硬膜的应用（TiN、TiC、TiCN、（TiAl）N、C-BN等）PCVD法宜于在外形复杂、面积大的工件上获得超硬膜，沉积速率可达4～10μm/h，硬度大于2000HV，绕镀性好，工件不需旋转就可得到均匀的镀层。大量应用于切削刀具、磨具和耐磨零件。
（2）半导体元件上尽缘膜的形成过往半导体元件上的尽缘膜大多用SiO2，现在用SiN4 H2用PCVD法来形成Si3N4，Si3N4的尽缘性、性、耐酸性、耐碱性，比SiO2强，从电性能及其掺杂效率来讲都是的，特别是当前的高速元件GaAs尽缘膜的形成，高温处理是不可能的，只能在低温下用等离子法进行沉积。
