1、真空镀膜工艺在信息存储范畴中的运用薄膜资料作为信息记载于存储介质，有其得天独厚的优势：因为薄膜很薄能够疏忽涡流损耗；磁化回转极为敏捷；与膜面平行的双稳态状况简单保持等。为了更精细地记载与存储信息，必定要选用镀膜技能。
2、真空镀膜工艺在传感器方面的运用在传感器中，多选用那些电气性质相关于物理量、化学量及其变化来说，极为敏感的半导体资料。此外，其中大多数运用的是半导体的外表、界面的性质，需求尽量增大其面积，且能工业化、低报价制造、因而选用薄膜的状况许多。
采用化学气相沉积处理时，应注意以下问题：
（1）要考虑模具锐角部分的凸起变形
由于涂层与基体的线胀系数不同，模具棱角处容易产生应力集中，基材会被挤出形成凸起。可以采取的解决方法是：将锐角处加工成圆弧状，或是估计凸起变形量的大小，预先加工成锥形。
（2）CVD沉积温度高而带来的尺寸和形状变形
其变形程度取决于所选用的材料、形状、沉积温度、涂层厚度以及预备热处理等。
在CVD处理过程中，尺寸变形小的材料是硬质合金及含Cr高的不锈钢系合金；冲压加工领域使用的模具材料主要限于合金工具钢、冷作模具钢（Cr12MoV）、硬质合金等，其中快冷淬透钢，由于快冷时容易产生翘曲、扭曲等变形，所以不宜进行CVD处理；而高速钢是热处理膨胀较大的钢种，使用时必须充分估计其膨胀变形量。
金属钯及其合金具有很强的氢气吸附能力和特殊的选择渗透能力, 是理想的氢气储存和净化材料 。目前, 通常使用整体钯合金或镀钯等方法制造氢净化设备。近年来 ,有研究者尝试采用化学气相沉积法制备钯的薄膜或薄层材料 , 他们选用分解温度很低的金属有机化合物作为沉积钯的源物质, 他们是:烯丙基[β-酮] Pd(Ⅱ)、Pd(η3 -C 3 H 5 )(η 5-C 5 H 5 )和 Pd(η3-C 3 H 5 )(CF 3 COCHCOCF 3 )等。采用化学气相沉积法可以制备高纯度的钯薄膜 。
