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化学气相沉积的特点

化学气相沉积工艺是，将加热的模具暴露在发生反应的混合气氛（真空度≤1Pa）中，使气体与模具表面发生反应，在模具表面上生成一层薄的固相沉积物，如金属碳化物、氮化物、硼化物等。这里有两个关键因素：

一是作为初始混合气体气相与基体固相界面的作用，也就是说，各种初始气体之间在界面上的反应来产生沉积，或是通过气相的一个组分与基体表面之间的反应来产生沉积。

二是沉积反应必须在一定的能量条件下进行。一般情况下，产生气相沉积的化学反应必须有足够高的温度作为条件，在有些情况下，可以采用等离子体或激光辅助作为条件，降低沉积反应的温度。

人们把等离子体、离子束引入到传统的物理气相沉积技术的蒸发和溅射中，参与其镀膜过程，同时通入反应气体，也可以在固体表面进行化学反应，生成新的合成产物固体相薄膜，台湾真空镀膜设备，称其为反应镀。

在溅射钛(Ti)等离子体中通入反应气体N2后合成TiN就是一例。

这就是说物理气相沉积也可以包含有化学反应。又如，在反应室内通入，借助于w靶阴极电弧放电，五金真空镀膜设备，在Ar，W等离子体作用下使分解，并在固体表面实现碳键重组，汽车真空镀膜设备，生成掺W的类金刚石碳减摩膜，人们习惯上把这种沉积过程仍归入化学气相沉积，但这是在典型的物理气相沉积技术——金属阴极电弧离子镀中实现的。

常压化学气相沉积（NPCVD）或大气压下化学气相沉积（APCVD）是在0.01—0.1MPa压力下进行，显示屏真空镀膜设备，低压化学气相沉积（LPCVD）则在10-4 MPa下进行。CVD或辉光放电CVD，是低压CVD的一种形式，其优点是可以在较低的基材温度下获得所希望的膜层性能。

CVD的进一步发展是化学气相浸渍（CVI） ，或称化学气相注入，在这种工艺中由多孔材料制成的物件被注入某种元素以强化基材性能。

等离子辅助CVD（PACVD），也称为等离子活化CVD，等离子援助CVD，等离子增强CVD。