.真空蒸镀
真空蒸镀是真空条件下在1.33x10-3至1.33x10-4Pa的压力下，用电子束等热源加热沉积材料使之蒸发，蒸发的原子或分子直接在注塑加工件表面形成沉积层。但对于难熔的金属碳化物和氮化物进行直接蒸发是有困难的，并且有使化合物分解的倾向。为此，开发了引入化学过程的反应蒸镀，例如，用电子枪蒸发钛金属，并将少量和等反应气体导入蒸发空间，使钛原子和反应气体原子在工件表面进行反应，沉积TiC涂层。
真空蒸镀多用于透镜和反射镜等光学元件、各种电子元件、塑料注塑加工制品等的表面镀膜，在表面硬化方面的应用不太多。
薄膜(比如铱和铂薄膜)之所以引起人们的兴趣是因为它们具有良好的性能 、高的电导率 、很强的催化活性以及很好的稳定性等 。这些性能使得薄膜在电极材料 、微电子 、固态燃料电池和气敏元件等许多领域存在广泛的应用。
在CVD处理过程中，尺寸变形小的材料是硬质合金及含Cr高的不锈钢系合金；冲压加工领域使用的模具材料主要限于合金工具钢、冷作模具钢（Cr12MoV）、硬质合金等，其中快冷淬透钢，由于快冷时容易产生翘曲、扭曲等变形，所以不宜进行CVD处理；而高速钢是热处理膨胀较大的钢种，使用时必须充分估计其膨胀变形量。
由于粒子间的碰撞，产生剧烈的气体电离，使反应气体受到活化。同时发生阴极溅射效应，为沉积薄膜提供了清洁的活性高的表面。因而整个沉积过程与仅有热的过程有明显不同。这两方面的作用，在进步涂层结协力，降低沉积温度，加快反应速度诸方面都创造了有利条件。
等离子体化学气相沉积技术按等离子体能量源方式划分，有直流辉光放电、射频放电和微波等离子体放电等。随着频率的增加，等离子体强化CVD过程的作用越明显，形成化合物的温度越低。
溅射（或阴极喷涂）和蒸发是用于薄膜沉积的常用的PVD方法。
在PVD技术中，释放或碰撞的热物理过程将要沉积的材料（目标）转化为原子粒子，然后在真空环境中在气态等离子体条件下将原子粒子定向到基材，通过冷凝或化学反应生成物理涂层。投射原子的积累。该技术的结果是，要沉积的材料类型具有更高的灵活性，并且可以更好地控制沉积膜的成分。连接到高压电源和真空室的两个电极构成了PVD反应器。
