1、真空镀膜工艺在信息存储范畴中的运用薄膜资料作为信息记载于存储介质，有其得天独厚的优势：因为薄膜很薄能够疏忽涡流损耗；磁化回转极为敏捷；与膜面平行的双稳态状况简单保持等。为了更精细地记载与存储信息，必定要选用镀膜技能。
2、真空镀膜工艺在传感器方面的运用在传感器中，多选用那些电气性质相关于物理量、化学量及其变化来说，极为敏感的半导体资料。此外，其中大多数运用的是半导体的外表、界面的性质，需求尽量增大其面积，且能工业化、低报价制造、因而选用薄膜的状况许多。
借助一种惰性气体的辉光放电使金属或合金蒸汽离子化。离子镀包括镀膜材料（如TiN，TiC）的受热、蒸发、沉积过程。
蒸发的镀膜材料原子在经过辉光区时，一小部分发生电离，并在电场的作用下飞向工件，以几千电子伏的能量射到工件表面，可以打入基体约几纳米的深度，从而大大提高了涂层的结合力，而未经电离的蒸发材料原子直接在工件上沉积成膜。惰性气体离子与镀膜材料离子在工件表面上发生的溅射，还可以清除工件表面的污染物，从而改善结合力。
离化PVD技术通过将成膜材料高度电离化形成膜材料离子，从而增加膜材料离子的沉积动能，并使之在高化学活性状态下沉积薄膜的技术，包括离子镀、离子束沉积和离子束辅助沉积三类。
离化PVD过程大多是蒸发/溅射（气相物质激发）与等离子体离化过程（赋能、）的交叉结合。
蒸发镀膜是依靠源材料的晶格振动能克服逸出功，从而形成沉积粒子的热发射，即：外加能量（电阻/电子束/激光/电弧/射频）赋予材料较高的晶格振动能，使其克服固有的逸出功逸出粒子。而溅射是依靠高能离子输入动能，借助源材料中粒子间的弹性碰撞，致使更高动能粒子逸出。离化PVD 是以其它手段激发沉积物质粒子，然后使之与高度电离的等离子体交互作用（类似 PECVD），促使沉积粒子离化，使之既可被电场加速而获得更高动能，同时在低温状态下具有高化学活性。
PCVD的工艺装置由沉积室、反应物输送系统、放电电源、真空系统及检测系统组成。气源需用气体净化器除往水分和其它杂质，经调节装置得到所需要的流量，再与源物质同时被送进沉积室，在一定温度和等离子体等条件下，得到所需的产物，并沉积在工件或基片表面。所以，PCVD工艺既包括等离子体物理过程，又包括等离子体化学反应过程。
