单向可控硅有阳极A、阴极K、操控极G三个引出脚
单向可控硅有阳极A、阴极K、操控极G三个引出脚。双向可控硅有榜首阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、操控极G三个引出脚。只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，一起操控极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。此刻A、K间呈低阻导通状况，阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后，操控器G即便失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍坚持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状况。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发作改动（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状况转换为高阻截止状况。单向可控硅一旦截止，即便阳极A和阴极K间又从头加上正向电压，仍需在操控极G和阴极K间有从头加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状况相当于开关的闭合与断开状况，用它可制成无触点开关。
可控硅模块的三个极性该如何判断?
可控硅模块的三个极性该如何判断？
1、用万用表的Rx1000Ω或Rx100Ω，分别测量各管脚间的正反向电阻，其中若测得两管脚的正反向电阻都很小，即为T1极和G极，余者为T2极。
2、T1极和G极的区分：任选其中一极为T1，将万用表拨至RX1Ω,不用分表笔的正负，分别将两笔至T2极和T1极(假设)。用和T2相接的表笔在保持和T2相接的情况下和G(假设)相接，这时会看到晶闸管的阻值明显变小，说明双向晶闸管可能因触发导通而处于通态，再在保持该表笔和T2相接的情况下和G极(假设)断开，如果晶闸管仍于通态，则对换两表笔，重复上述步骤。如果仍能使晶闸管处于通态，则假设是正确的，否则假设是错误的。这样就应该对换假设的两极再重复上述的步骤。
可控硅模块受损原因分析
可控硅模块受损原因
1、电压击穿。
可控硅模块不能承受电压而损坏，在其芯片中有一个光洁的小孔，有时需要用扩大镜才能看到，其原因可能是管子本身耐压下降或者是被电路断开时产生的高电压击穿。
2、电流损坏。
如果芯片被烧成一个凹坑，并且非常粗糙，其位置在原理控制极上，这种往往就属于电流损坏。
3、电流上升率损坏。
如果上述芯片凹坑位置在控制极附近或者是就在控制极上，那么可能就是电流上升率损坏所致。
4、边缘损坏。
这种受损发生在芯片芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。
可控硅模块如何解决这些问题
可控硅模块有其自身的优点，但是在使用的过程中也会出现一些问题，比如晶闸管（可控硅）电路引起干扰的***，那么如何来解决这些问题呢？
我们可以从减少谐波和提高输入功率因数的措施着手，去解决上述出现的问题了：限制接入电网的晶闸管变流装置的容量，来保护其他设备的正常运行；尽可能采用脉波数高的变流装置；对于移相式变流装置，触发延迟角α不能用得太大；通过改变串并联电路来预制电路的干扰。
