刻蚀原理
硅的湿法刻蚀是指利用含有腐蚀剂的溶液对硅进行腐蚀 ， 可分为各向同性腐蚀技术和各向异性腐蚀技术。各向同性腐蚀是指各个晶向上的腐蚀速率相同 ， 衬底和表面取向的不同对腐蚀速率的影响不大。 各向异性腐蚀是指硅的不同晶面在某些特定的腐蚀液中被刻蚀的速率不同 ， 导致各个晶向的腐蚀速率不同。现出结构边缘平滑的现象。各向同性腐蚀液常用 HF、 HN O 3 和 H2O(CH3COOH) ， 用这些腐蚀液很难实现选择性腐蚀 ， 并且很难能找到能够长时间承受腐蚀的材料。 各向异性腐蚀液包括无机腐蚀剂和有机腐蚀剂两种 ， 其中无机腐蚀剂为 NH4OH、 KOH 和 NaOH 等碱性溶液 ， 有机腐蚀剂为 TMAH 、EPW( 邻苯二酚、***、水 ) 和联胺。按现在光伏电站市场价，安装一套5kW(占地约50平米)光伏电站系统大概需要4、5万元。
通常情况下选用 KOH、 ( CH3) 2CHOH ( 异***也叫 IPA) [ 8] 和水作为各向异性腐蚀液 ，则根据硅在腐蚀液中的腐蚀机制可表示如下：
KOH H3O= K 2OH- H
Si 2OH - 4H 2O=Si( OH)62-
Si( OH) 6 2- 6( CH 3) 2CH OH= [ Si( OC3H7 ) ] 62- 6H 2O
然后，络合产物与异***作用生成可溶解。
硅片的预备处理：
在通风柜内，将激光切割好的中小型硅片放置整洁的羟化烧杯（专用型）中，将其反面朝上，回收***拍卖抛光片，用去离子水清洗3次，清洗时稍用力，使硅片可以在烧杯中旋转起來，以降低硅片中间的磨擦撞击；将水倒净，马上用移液管（过氧化物氢专用型）往烧杯中添加5ml***（H2O2），随后用移液管（专用）添加15ml（H2SO4），在摇床边迟缓震荡或静放30分鐘使之充足反映，此反映可让表层羟基化。扔掉上步反映的液體，用去离子水清洗3次。清洗时稍用力，使硅片可以在烧杯中转动起來，以降低硅片中间的磨擦撞击；问题是材料的来源，由于铟和硒都是比较稀有的元素，因此，这类电池的发展又必然受到限制。随后将烧杯口斜放，迟缓旋转烧杯，使烧杯内壁的***能被洗掉。清洗完毕后，用很多水储存硅片，并必须使硅片的反面维持朝上。
硅有晶体硅和不定形硅二种同素异形体。晶体硅是黑***、有金属质感、硬而脆的固态（见原素硅大晶体图），它的构造类似金钢石，溶点和熔点都很高，强度也挺大。晶体硅还有一个关键的特性，就是说它的导电率接近导体和绝缘体中间，是优良的半导体器件。
上年有好几个省区改动了輔助服务项目的实施方案，特别是在三北地域对调整开关电源的补助较为高。年末电监会中国南方监管局也下达了通告，容许储能电站单独参加或是与别的行为主体协同参加輔助消费市场。通告也提及说储能电站依据电力调度***命令进到充电情况的，按其出示充电调峰服务项目统计分析，对充电用电量开展赔偿。”振鑫焱光伏科技有关人士表达。在自然界中，没有游离态的硅,只有以化合态存在的硅，如二氧化硅、硅酸盐等。
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