陶瓷电容厂家_陶瓷电容_纳仕特，超高压电容器(查看)

陶瓷电容按照封装不同可分为插件和贴片式，按照介质不同可分为类I瓷介电容和II类瓷介I电容，通常NP0，COG，SL0是I类瓷介电容，X7R，X5R，Y5U，Y5V是II类瓷介电容，有什么特点呢？东莞市纳仕特电子科技有限公司来给大家说说。

I类瓷介电容容量稳定性很好，基本不随温度，电压，时间等变化而变化，但是一般容量都很小，而II类瓷介电容容量稳定性很差，随着温度，电压，时间变化幅度较大，所以一般用在对容量稳定性要求不高的场合，如滤波等。

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陶瓷电容器从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器，具体是怎么样的呢？有哪些特点？适用于哪些范围呢？东莞市纳仕特电子科技有限公司来给大家介绍一下。

1、Ⅰ类陶瓷电容器：过去称高频陶瓷电容器，是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容器，特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，陶瓷电容厂家，或用于温度补偿；

2、Ⅱ类陶瓷电容器：过去称为为低频陶瓷电容器，指用铁电陶瓷作介质的电容器，因此也称铁电陶瓷电容器，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中。

东莞市纳仕特电子科技有限公司将不断强化内部管理，建立现代化企业制度，以科技为先导，继续努力向各界推出新产品，竭诚为客户提供满意的产品与服务，致力于塑造公司整体形象的良好声誉。

陶瓷介质电容器的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠，那么大家了解它的发展史吗？今天东莞市纳仕特电子科技有限公司来给大家讲述一下。

1900年意大利L.隆巴迪发明陶瓷介质电容器，30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容器，1940年前后人们发现了现在的陶瓷电容器的主要原材料BaTiO3具有绝缘性后，开始将陶瓷电容器使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中。

陶瓷叠片电容器于1960年左右作为商品开始开发，到了1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，成为电子设备中不可缺少的零部件，现在的陶瓷介质电容器的全部数量约占电容器市场的70%左右。

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