安规陶瓷电容-纳仕特，超高压电容器-安规陶瓷电容采购

耦合电容器的芯子装在绝缘瓷套管内，瓷套管内充有绝缘油。瓷套管两端装有金属制成的法兰，作组合连接和固定用，当电压在110kV及以上时，耦合电容器均为几个电容器串联组合而成，装有接地开关，作为高频保护、自动化系统和远动信号、调度载波通信以及电压抽取装置等二次部分的保安接地。

耦合电容器对于引出头接在盖板和底座上的耦合电容器，使用时底座需与地绝缘，所以配有绝缘底座，对于引出头一端接在盖板上，另一端则通过底座上的瓷套引出时，安规陶瓷电容代加工，使用时底座可直接接地。

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多层片式陶瓷电容器技术工艺复杂，其中较为关键的技术是前端的配料、流延、印刷、粘浆、内电极引出和电镀等环节，后面部分大都为标准化生产，整个工艺过程主要是将印制电极的陶瓷介质膜片错位堆叠，一次性高温烧结成型后，在两段封金属层，在实际应用中，多层片式陶瓷电容器主要是由以陶瓷材料掺杂改性加工而成的。

根据陶瓷材料介电常数的大小，可将陶瓷材料体系划分为：高介电常数、中介电常数和低介电常数三类，高介电常数陶瓷用作储能材料，满足经济发展对新型储能元器件发展的要求，低介电常数、高自谐振频率陶瓷具有介电常数低、自谐振频率高的特点，适合微波/毫米波应用。

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Ⅰ类陶瓷电容器根据美国标准***-198-D，在用字母或数字表示陶瓷电容器的温度性质有三部分：一部分为（例如字母C）温度系数α的有效数字；第二位部分有效数字的倍乘（如0即为100）；第三部分为随温度变化的容差（以ppm/℃表示）。

例如，安规陶瓷电容采购，C0G（有时也称为NP0）表示为：前面的字母C为温度系数的有效数字为0，第二位数字0为有效温度系数的倍乘为100=1，第三位字母G为随温度变化的容差为±30ppm/℃，即0±30ppm/℃，Ⅰ类陶瓷电容器的电容量几乎不随温度变化。

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