三菱IGBT模块
武汉晶达电子有限公司聚十多年功率半导体的***经验,为三菱功率半导体器件在中国区域的***代理商，负责三菱功率半导体在中国市场的推广和销售工作。以下大量现货，欢迎查询。
A系列
特点:
a) 采用***新的CSTBT硅片技术；
b) 低饱和压降Vce(sat)；低开通损耗Eon；低关断损耗Eoff高短路承受力（不需要RTC）；
c) 降低栅极电容，栅极驱动功率接***板型IGBT；
d) 采用AlN绝缘基层形成优异的热阻特性，比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的热阻；
e) 比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的成本结构，按IEC747-15标准定义温度和热阻。
用途:
低成本设计，适合中、低端
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型号
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模块结构及参数
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型号
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模块结构及参数
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CM400HA-24A
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一单元，400A/1200V
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CM600DY-24A
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两单元，600A/1200V
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CM600HA-24A
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一单元，600A/1200V
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CM75DY-34A
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两单元，75A/1700V
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CM100DY-24A
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两单元，100A/1200V
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CM100DY-34A
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两单元，100A/1700V
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CM150DY-24A
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两单元，150A/1200V
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CM150DY-34A
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两单元，150A/1700V
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CM200DY-24A
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两单元，200A/1200V
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CM200DY-34A
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两单元，200A/1700V
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CM300DY-24A
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两单元，300A/1200V
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CM300DY-34A
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两单元，300A/1700V
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CM400DY-24A
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两单元，400A/1200V
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CM400DY-34A
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两单元，400A/1700V
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