Ⅰ类陶瓷电容器根据美国标准***-198-D，在用字母或数字表示陶瓷电容器的温度性质有三部分：一部分为（例如字母C）温度系数α的有效数字；第二位部分有效数字的倍乘（如0即为100）；第三部分为随温度变化的容差（以ppm/℃表示）。
例如，瓷片陶瓷电容，C0G（有时也称为NP0）表示为：前面的字母C为温度系数的有效数字为0，第二位数字0为有效温度系数的倍乘为100=1，第三位字母G为随温度变化的容差为±30ppm/℃，即0±30ppm/℃，Ⅰ类陶瓷电容器的电容量几乎不随温度变化。
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高压发生器要用到很多高压陶瓷电容器和大容量高压电容器，以前一般都使用高压薄膜类的电容器，但是随着安规陶瓷电容的优势不断体现，将来薄膜电容器将越来越少的出现在高压发生器中。
高压陶瓷电容的使用寿命更长，薄膜电容的寿命也就是三两年，电好的产品也不会超出5年，高压陶瓷电容器的内阻很小，而薄膜电容器由于是采取卷绕方式，这样就造成内阻偏大，相对而言高压陶瓷电容器的电压更高，薄膜电容器的电容相对来讲，工作电压是不如陶瓷电容的高，这是共识。
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多层陶瓷电容对应的陶瓷温度特性（TC.特性）为：-55℃--- 125℃ 摄氏度间，温度每变化一度，变化的频率只有 0 -30ppm/℃也就相当于没有变化，长沙陶瓷电容，是主要用在电路RF部分的电容器，其他常用材质有X5R，X7R，陶瓷微调电容，Y5V。
片式多层陶瓷电容器因为其制作工艺为陶瓷叠层实现电荷的储存，广泛应用于谐振、旁路、耦合、滤波等，常用的有CT4（低频）、CT42（低频）、C***（高频）、C***2（高频）等系列。
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