商品型号:TPS1100DR
品牌产地:TI
生产批号: 09+
商品名称:场效应管
封装规格:SOIC-8
PDF资料:***描述产品:PDF单路 P 通道增强-模式 MOSFET
分类:分立半导体产品
家庭:MOSFET的 - 单
***的开(***大值)@标识,VGS电压:180 mOhm@1.5A,10V的
漏***源极电压(Vdss):15V的
栅极电荷(Qg)@ VGS电压:10V的5.45nC @
电流 - 连续漏极(编号)@ 25 ° C时:1.6A的
场效应管极性:P沟道
场效应管特点:逻辑电平门
功率 - ***大:791mW
安装类型:表面安装
封装/外壳:采用SOIC - 8