安规电容供应商-安规电容-纳仕特，超高压电容器(查看)

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多层片式陶瓷电容器技术工艺复杂，其中较为关键的技术是前端的配料、流延、印刷、粘浆、内电极引出和电镀等环节，后面部分大都为标准化生产，整个工艺过程主要是将印制电极的陶瓷介质膜片错位堆叠，一次性高温烧结成型后，安规电容有正负极吗，在两段封金属层，在实际应用中，多层片式陶瓷电容器主要是由以陶瓷材料掺杂改性加工而成的。

根据陶瓷材料介电常数的大小，可将陶瓷材料体系划分为：高介电常数、中介电常数和低介电常数三类，高介电常数陶瓷用作储能材料，满足经济发展对新型储能元器件发展的要求，低介电常数、高自谐振频率陶瓷具有介电常数低、自谐振频率高的特点，适合微波/毫米波应用。

东莞市纳仕特电子科技有限公司已通过ISO9001质量管理体系认证，公司将不断强化内部管理，建立现代化企业制度，以科技为先导，继续努力向各界推出新产品，新工艺，新技术，将本公司产品的生产向国际高水准方向发展。

多层陶瓷电容对应的陶瓷温度特性（TC.特性）为：-55℃--- 125℃ 摄氏度间，温度每变化一度，安规电容价格，变化的频率只有 0 -30ppm/℃也就相当于没有变化，是主要用在电路RF部分的电容器，其他常用材质有X5R，X7R，Y5V。

片式多层陶瓷电容器因为其制作工艺为陶瓷叠层实现电荷的储存，广泛应用于谐振、旁路、耦合、滤波等，常用的有CT4（低频）、CT42（低频）、C***（高频）、C***2（高频）等系列。

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