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光刻和刻蚀有什么区别?
这两个词是半导体工艺中的重要步骤,需要配合剖面图讲解,光刻板,***i好自己找本半导体工艺的书看。
“光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆(或者叫硅片)上盖上事先做好的光刻板,然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质,易于腐蚀。
“刻蚀”是光刻后,用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉(正胶),晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀,形成半导体器件及其电路。

在半导体制造中,许多芯片工艺步骤采用光刻技术,用于这些步骤的图形“底片”称为掩膜(也称作“掩模”),其作用是:在硅片上选定的区域中对一个不透明的图形模板遮盖,继而下面的腐蚀或扩散将只影响选定的区域以外的区域。
用选定的图像、图形或物体,对处理的图像(全部或局部)进行遮挡,来控制图像处理的区域或处理过程。用于覆盖的特定图像或物体称为掩模或模板。光学图像处理中,掩模可以是胶片、滤光片等。数字图像处理中,掩模为二维矩阵数组,有时也用多值图像。
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菲林在使用中需注意的事项
虽然一般的照排菲林均为明室片,可在室内光源下完成装片过程,但在实际生产中还是应该严格遵守操作规程,按要求将菲林装入装片盒中,台上护盖,拧紧盒顶两侧的螺钉(注意两侧均一用力保持平衡)然后撕掉护膜引片,使露在出片口的胶片两边平行,宽度在1.5~2cm左右,在搬运的过程中要托住盒底,防止胶片脱落。
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