FF200R12KT4
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FF200R12KT4
FF200R12KT4中文资料
功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 320A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual
集电极—发射极***大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄
电流:400 nA 功率耗散:445 W ***大工作温度:+ 125 C 封装/箱体:34MM
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极***大电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 320 A
封装 / 箱体: 62 mm
***小工作温度: - 40 C
***大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 30.5 mm
长度: 106.4 mm
宽度: 61.4 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS代码: 8541290095
栅极/发射极***大电压: +/- 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
TARIC: 8541290000
零件号别名: FF200R12KT4
单位重量: 340 g
半导体 分立半导体 晶体管 IGBT 模块 Infineon Technologies FF200R12KT4
FF200R12KT4
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