FF400R33KF2C

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FF400R33KF2C中文资料
功能描述:IGBT 模块 3300V 400A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual

集电极—发射极***大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W ***大工作温度:+ 125 C 封装/箱体:34MM
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块

RoHS: N
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极***大电压 VCEO: 3300 V
集电极—射极饱和电压: 3.4 V
在25 C的连续集电极电流: 660 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4.8 kW
封装 / 箱体: IHM
***小工作温度: - 40 C
***大工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 38 mm
长度: 140 mm
宽度: 130 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS代码: 8541290095
栅极/发射极***大电压: +/- 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 2
子类别: IGBTs
TARIC: 8541290000
零件号别名: FF400R33KF2CNOSA1