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3.根据电磁学原理，置于静电场中的密闭空心导体内部无电场线，其内部各点等电位。用这个原理，以铜或铝等导电性良好的金属为材料，制作密闭的金属 容器，并与地线连接，把需要保护的电路值r其中，使外部干扰电场不影响其内部电路， T18937833412产生类似接触不良的闪爆电弧。另外，晶体管也可能产生相似的爆裂噪声和闪烁噪声，其产生机理与电阻中微粒的不连续性相近，也与晶 体管的掺杂程度有关。 2、半导体器件产生的散粒噪声电解液逐渐变干：a:与使用环境有关，例如高温低湿，碱性气体含量较高；b:电解液注入量不足。那么如何避免呢？开发工程师首先要在制造工艺细节上面进一步完善，保证出厂后性能稳定；加强生产过程中的检验和控制；由于半导体PN结两端势垒区电压的变化引起累积在此区域的电荷数量改变，从而显现出电容效应。当外加正向电压升高时，N区的电子和P区的空穴向耗尽区运动，相当于对电容充电。以一个1kΩ的电阻为例，如果电路的通频带为1MHz，则呈现在电阻两 端的开路电压噪声有效值为4μV(设温度为室温T=290K)。看起来噪声的电动势并不大，但假设将其接入一个增益为106倍的放大电路时，其输出噪声可 达4V，这时对电路的干扰就很大了然后经过光电探测器的光电效应产生电流信号，经电路放大及处理后，即可得到细颗粒物浓度值。输出信号一般为串口输出。首先弄清楚为什么灵敏度低或者衰减呢？催化层***，使用或者存储环境中硅含量较高、同时使用含有机硅的零部件等；老化时间不足，性能尚且不稳定；电极印刷及处理方面存在问题，如电极圆形不规整、较薄（催化层透光）、电极与膜附着力不够等；由于半导体PN结两端势垒区电压的变化引起累积在此区域的电荷数量改变，从而显现出电容效应。当外加正向电压升高时，N区的电子和P区的空穴向耗尽区运动，相当于对电容充电。