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因此消除或减弱噪声干扰的方法可以针对这三项中的其中任意一项采取措施。而在传感器检测电路中比较常用的方法是对干扰途径及接收电路采取相应的措施以消除或减弱噪声干扰。下面介绍几种常用的、行之有效的抗干扰技术。 T18937833412因此消除或减弱噪声干扰的方法可以针对这三项中的其中任意一项采取措施。而在传感器检测电路中比较常用的方法是对干扰途径及接收电路采取相应的措施以消除或减弱噪声干扰。下面介绍几种常用的、行之有效的抗干扰技术。首先弄清楚为什么灵敏度低或者衰减呢？催化层***，使用或者存储环境中硅含量较高、同时使用含有机硅的零部件等；老化时间不足，性能尚且不稳定；电极印刷及处理方面存在问题，如电极圆形不规整、较薄（催化层透光）、电极与膜附着力不够等；由于半导体PN结两端势垒区电压的变化引起累积在此区域的电荷数量改变，从而显现出电容效应。当外加正向电压升高时，N区的电子和P区的空穴向耗尽区运动，相当于对电容充电。当正向电压减小时，它又使电子和空穴远离耗尽区，相当于电容放电。当外加反向电压时，耗尽区的变化相反。当电流流经势垒区时，这种变化会引起流过势垒区的电***生微小波动，从而产生电流噪声。其产生噪声的大小与温度、频带宽度△f成正比。电解液逐渐变干：a:与使用环境有关，例如高温低湿，碱性气体含量较高；b:电解液注入量不足。那么如何避免呢？开发工程师首先要在制造工艺细节上面进一步完善，保证出厂后性能稳定；加强生产过程中的检验和控制；、高频热噪声高频热噪声是由于导电体内部电子的无规则运动产生的。温度越高，电子运动就越激烈。导体内部电子的无规则运动会在其内部形成很多微小的电流波动，因其是无 序运动，故它的平均总电流为零产生类似接触不良的闪爆电弧。另外，晶体管也可能产生相似的爆裂噪声和闪烁噪声，其产生机理与电阻中微粒的不连续性相近，也与晶 体管的掺杂程度有关。 2、半导体器件产生的散粒噪声