该系列具有更低的负载电容（2pF），可将1GbE接口的信号衰减程度降至***低水平，同时还大幅提高了雷击抗扰度，达到40A（tP = 8/20µs）。此外，这两种器件均超过了IEC61000-4-2ESD标准的***高保护水平，可提供高达&plu***n;30kV （接触放电） 的保护。它们能够帮助制造商满足GR-1089 （NA）、ITU K.20/21（欧洲）和YD/T（中国）等标准的要求。
特性与优势：
（1）ESD、IEC61000-4-2、&plu***n;15kV接触放电/ &plu***n;15kV空气放电;
*ESD保护水平远远超过了IEC61000-4-2标准的***高保护水平（&plu***n;8kV）
（2）雷击、IEC61000-4-5、40A（tP=8/20μs）
****雷击保护有助于满足符合***标准的设计要求
（3）每个I/O仅2pF（典型值）
*低电容能够将信号衰减程度降至***低水平，特别是针对1GbE界面的应用
（4）超低的动态电阻 仅约0.4Ω
*其低导通电压和动态电阻提供了超低箝位电压
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