P0900SB的参数：
封装：DO-214AA(***B)
电压：75V
电流：800mA
容值：70pF
P0900SB的特性：
1、低电容
2、良好的吸收瞬态浪涌能力
3、快速响应浪涌电压（纳秒级）
4、消除快速上升瞬变造成的过电压
5、湿度敏感度等级：1级
6、非退化
半导体放电管的选型
Vdrw>电路上的工作电压
1、***大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。
2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的***大瞬间峰值电压。
3、半导体放电管处于导通状态(导通)时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。
4、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的***大工作电压。
5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即：IH(系统电压/ 源阻抗)。
