快充协议芯片INN2215K快充icQc3.0方案
快充技术的原理，通过USB端口的D+与D-的不同电压给合，来向充电器申请相应的输出电压供手机充电。QC2.0并不是简单的D+与D-的组合就可以让充电器输出所需的电压，而是还有一些协议在里面，需要先发送握手信号，比如1.5s的握手电压组合，才能进行下一步的输出，否则，直接按图-4将D+与D-电平设置好是不会改变充电器的输出电压的，这也是为了更好的保护非QC2.0技术的手机，不会因为误触发了充电器的升压机制而烧毁手机。
快充技术的优点是，很好地解决常规手机充电电流的限制，由于充电器输出电压的提高，手机充电环路的阻抗限制的充电电流的问题得到了很好地解决，缺点是，效率仍不是很高，在手机端发热量还比较大。
INN2215K是InnoSwitch-CP系列IC，集成了反激式控制器、650 V 的高压MOSFET、次级侧检测和同步整流驱动器，次级侧控制器实现对输出电压和电流的监测，根据监测结果将信息反馈至初级，进行相应的开关控制，从而实现更精准的输出电压和电流的控制，佳大功率22W。芯片具有线压检测、次级检测、输出过压保护、自动重启等多种功能，FB管脚具有短路检测功能。芯片效率高、待机功耗低，适配器中应用比较多。
快充协议芯片INN2215K快充icQc3.0方案
INN2215K是离线CV/CC反激开关集成电路,集成了650V MOSFET,Sync-Rect反馈和用于USB-PD和QC 3.0的恒功率分布图,大大简化了低压大电流电源特别是小尺寸和***率电源的开发和制造，支持快速充电协议USB-PD 和QC 3.0,隔离电压大于3,500 VAC ,UL1577和TUV (EN60950)安全认证,和EN61000-4-8 (100 A/m) 以及EN61000-4-9 (1000 A/m)兼容,主要用在QC 3.0和USB-PD充电器。
随着高通QC3.0的发布，很好的弥补了QC2.0效率偏低的问题。
充电速度是传统充电方式的四倍，是Quick Charge 1.0的两倍，比Quick Charge 2.0充电效率高38%。Quick Charge 3.0采用佳佳电压智能协商（INOV）算法，可以根据掌上终端确定需要的功率，在任意时刻实现佳佳功率传输，同时实现效率佳大化。另外，其电压选项范围更宽，移动终端可动态调整到其支持的佳佳电压水平。具体来说，Quick Charge 3.0支持更细化的电压选择：以200mV增量为一档，提供从3.6V到20V电压的灵活选择。这样，你的手机可以从数十种功率水平中选择佳适合的一档。
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