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深圳市斌腾达科技有限公司

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SQJ457EP-T1_GE3

产品编号:789603621                    更新时间:2019-07-22
价格: ¥2.25
深圳市斌腾达科技有限公司

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  • 主营业务:电阻,电容、二三极管,晶振,世界各名牌IC,模块,我们所销售...
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产品详情

SQJ457EP-T1_GE3          Vishay      PowerPAK-SO-8L-4       18+         全新原装正品   全系列MOS管大量现货

产品属性
属性值
搜索类似

 

制造商:
Vishay
 

 

产品种类:
MOSFET
 

 

RoHS:
 

 

技术:
Si
 

 

安装风格:
SMD/SMT
 

 

封装 / 箱体:
PowerPAK-SO-8L-4
 

 

通道数量:
1 Channel
 

 

晶体管极性:
P-Channel
 

 

Vds-漏源极击穿电压:
60 V
 

 

Id-连续漏极电流:
36 A
 

 

Rds On-漏源导通电阻:
25 mOhms
 

 

Vgs th-栅源极阈值电压:
1.5 V
 

 

Vgs - 栅极-源极电压:
10 V
 

 

Qg-栅极电荷:
65 nC
 

 

最小工作温度:
- 55 C
 

 

最大工作温度:
+ 175 C
 

 

Pd-功率耗散:
68 W
 

 

配置:
Single
 

 

通道模式:
Enhancement
 

 

资格:
AEC-Q101
 

 

商标名:
 

 

封装:
Cut Tape
 

 

封装:
MouseReel
 

 

封装:
Reel
 

 

高度:
1.04 mm
 

 

长度:
6.15 mm
 

 

系列:
 

 

晶体管类型:
1 P-Channel
 

 

宽度:
5.13 mm
 

 

商标:
Vishay / Siliconix
 

 

正向跨导 - 最小值:
26 S
 

 

下降时间:
6 ns
 

 

产品类型:
MOSFET
 

 

上升时间:
5 ns
 

 

3000
 

 

子类别:
MOSFETs
 

 

典型关闭延迟时间:
40 ns
 

 

典型接通延迟时间:
15 ns
 

 

单位重量:
506.600 mg

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