直接化学镀镍工艺方法对镍层表面形态的影响
近年来，随着半导体输入端子数量的增加，化学镀镍哪家好，基板向侧面端子的多腿化及信号线间距微细化的发展。多腿化的趋势使QFP(Quad Flat Package)构造盘间的节距狭小化制造的难度增加，化学镀镍厂，特别是面阵列端子（面端子）化的需要，BGA(Ball Grid Array)构造的超小型化封装的开发。超小型化封装端子的表面处理的外部引出线需要增加适合的化学镀金/化学镀镍。化学镀金或电镀金的工艺方法比较而言，对于***的电路图形上表面处理是适用的，镀层的厚度可以根据需要增加，这一点是非常有利的。
通常铜导体图形是采用以次亚磷酸盐作还原剂化学镀镍，而铜与次亚磷酸氧化反应是没有催化活化行为的，这就需要采用钯作为催化剂。该工艺方法就是将基板浸入稀的钯溶液，当铜导体图形上浸有催化剂钯后，就可以实施化学镀镍的工艺程序。但是，对于超高密度配线的基板该工艺方法是否适用，还要看对钯催化剂的选择，因为当基板浸入催化溶液时，导体图形间的树脂上也会同时吸附，化学镀镍过程中会沉积在图形间的树脂上面，这样一来就会产生质量问题。
这就需要解决选择性析出的技术问题，铜导体经过催化活化，采用还原剂为DMAB(二***化硼)和稀的化学镀镍溶液，确认其选择性沉积是有效的。 另外，经过化学镀镍＋金的电镀处理的基板，与电镀法镀出的镀层相比，化学镀镍报价，其焊接强度就比较低。其主要原因是由镍粒子粒界被腐蚀***，镍层中的富磷层形成以及锡-镍-磷合金层的形成。现在的问题是对镍层中含磷量的含有率控制，使过程中不会产生局部腐蚀，具有适用性的工艺对策是有效的。
化学镀镍合金性能按GB10125-1997标准规定进行测试，时间为96小时，N***浓度50g/l，ph值：6.5-7.2，温度：35，按GB6464-86规定评定防护等级，可达9级。磷含量（质量百分数）：6%-12% 电阻率：60-75μΩ.cm密 度：7.9g/cm3 熔 点：860-880℃硬 度：镀态：Hv500-550(45-48RCH) 热处理后：Hv1000结合力：400MPa，远高于电镀内应力：钢上内应力低于7Mpa
接触镀
接触镀： ；将欲镀的金属与另一种金属或另一块相同金属接触，并沉浸在沉积金属的盐溶液中的沉积法。 ；当欲镀的导电基底表面与比溶液中待沉积的金属更为活泼的金属接触时，便构成接触沉积。在基底和接触金属之间形成了原电池对，其中接触金属是阳极，发生溶解，而欲镀基底起阴极的作用，金属便沉积到它的上面。此法与电沉积反应相同，所不同的是电流来自化学反应，化学镀镍，而不是由外电源提供。此法几乎没有实用意义，但是，它对在无催化活性基底上引发化学沉积，起到“反应起动剂”的作用上，具有重要意义。
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