在刻画时,采用步进机刻画(stepper),其中有电子束和激光之分,激光束直接在涂有铬层的4-9“ 玻璃板上刻画,边缘起点5mm,与电子束相比,其弧形更逼真,线宽与间距更小。光掩膜有掩膜原版(reticle mask,也有称为中间掩膜,reticle作为单位译为光栅),用步进机重复将比例缩小到master maks上,应用到实际曝i光中的为工作掩膜(working mask),工作掩膜由master mask复i制过来。
公司产品包括石英掩膜版,苏打掩膜版,以及菲林版。苏州制版根据客户的构想、草图,定制版图,苏州制版提供高质量掩膜版以及后期的代加工服务!
光罩(英文:Reticle, Mask),在制作IC的过程中,利用光蚀刻技术,在半导体上形成图型,为将图型复i制於晶圆上,必须透过光罩作用的原理,掩膜版,类似于冲洗照片时,利用底片将影像复i制至相片上。
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光刻和刻蚀有什么区别?
这两个词是半导体工艺中的重要步骤,需要配合剖面图讲解,***i好自己找本半导体工艺的书看。
“光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆(或者叫硅片)上盖上事先做好的光刻板,然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质,易于腐蚀。
“刻蚀”是光刻后,用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉(正胶),晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀,形成半导体器件及其电路。

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