造工艺当然也越来越复杂。这些电子元器件包括插头、连接器、软垫、电缆、线路半导体器件等等。而这些器件的清洗在现在也只能使用激光清洗来完成，激光清洗，同时还会带来额外的益处。举个例子来说，导体的表面涂层的剥离，需要保证实现不能对防腐蚀涂层的损伤，传统的机械研磨和化学腐蚀等处理办法很难做到。
由于激光清洗在目前成本还有些许高昂且缺乏相应的***和技术标准，限制了激光清洗技术以更高的速率增长。同时增加激光设备的功率或者能量，将进一步的增加设备的成本，这需要技术解决这一问题，让激光清洗设备的价格降到更低的一个水平。
当前，随着半导体技术不断缩进，***的集成电路器件已从平面向三维结构转变，集成电路制造工艺正变得越来越复杂，往往需要经过几百甚至上千道的工艺步骤。对于***的半导体器件制造，每经过一道工艺，硅片表面都会或多或少地存在颗粒污染物、金属残留或有机物残留等，器件特征尺寸的不断缩小和三维器件结构的日益复杂性，使得半导体器件对颗粒污染、杂质浓度和数量越来越敏感。对硅晶元上掩模表面的污染微粒的清洗技术提出了更高的要求，其关键点在于克服污染微颗粒与基材之间极大的吸附力，传统的化学清洗、机械清洗、超声清洗方法均无法满足需求，而激光清洗可以很容易解决此类污染问题。
另外，随着集成电路器件尺寸持续缩小，清洗工艺过程中的材料损失和表面粗糙度成为必须关注的问题，将微粒去除而又没有材料损失和图形损伤是基本的要求，激光清洗技术具有非接触性、无热效应，不会对被清洗物体产生表面损坏，且不会产生二次污染等传统清洗方法所无法比拟的优势，是解决半导体器件污染的清洗方法。
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