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Honeywell霍尼韦尔 TC-MUX021
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TC-MUX021
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TC-MUX021
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RAM存储器
(1)SRAM的特点:
SRAM表示静态随机存取存储器,只要供电它就会保持一个值,它没有刷新周期,由触发器构成基本单元,集成度低,每个SRAM存储单元由6个晶体管组成,因此其成本较高。它具有较高速率,常用于高速缓冲存储器。
通常SRAM有4种引脚:
CE:片选信号,低电平有效。
R/W:读写控制信号。
ADDRESS:一组地址线。
DATA:用于数据传输的一组双向信号线。
(2)DRAM的特点:
DRAM表示动态随机存取存储器。这是一种以电荷形式进行存储的半导体存储器。它的每个存储单元由一个晶体管和一个电容器组成,数据存储在电容器中。电容器会由于漏电而导致电荷丢失,因而DRAM器件是不稳定的。它必须有规律地进行刷新,从而将数据保存在存储器中。
DRAM的接口比较复杂,通常有一下引脚:
CE:片选信号,低电平有效。
R/W:读写控制信号。
RAS:行地址选通信号,通常接地址的高位部分。
CAS:列地址选通信号,通常接地址的低位部分。
ADDRESS:一组地址线。
DATA:用于数据传输的一组双向信号线。
(3)SDRAM的特点:
SDRAM表示同步动态随机存取存储器。同步是指内存工作需要同步时钟,内部的命令发送与数据的传输都以它为基准;动态是指存储器阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失。它通常只能工作在133MHz的主频。
(4)DDRAM的特点
DDRAM表示双倍速率同步动态随机存取存储器,也称DDR。DDRAM是基于SDRAM技术的,SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据,它是在时钟的上升期进行数据传输;而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据,它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据。在133MHz的主频下,DDR内存带宽可以达到133×64b/8×2=2.1GB/s。
140CPU11302
PC-E984-265
A06B-6132-H002
1746-HSRV
1762-L24BWA
1757-SRM
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1746-P2
1756-PA75
MVME162PA-SE344
CP6000
5X00226G01
PMC-2/11/08
电源
2090-U3CK-D44
2098-DSD-005X
1746-A4
1746-OW16
3HAC 020208-001/04
3HAC 025062-006/01
3HAC 17484-8/06
HDD02.2-W040N-HD32-01-FW
395
IC300DQM202
IC300MIX902
MVI46-MCM
MVME 167-035A
22B-A5P0N104
22B-D010N104
1746-A4
1746-OB16
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RTAC-01
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1746-NI4
1746-NI8
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1746-P2
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1747-L551
1747-SN
1756-L62
1C31224G01
1745-E151
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TAC MP-454-0-0-2
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140ACI03000
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140DDI35310
140DDO35300
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1756-PA72
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8033167
3842503582
3842522215
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SCA-SS-70-10
9905-462
PU515A 3BSE032401R1
1756-A4
140CRA93200
140DDI84100
140DDO84300
140XCP51000
140XTS00200
1734-0B8E
1734-0E2V
1734-IE2V
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1756-0F8
1756-A4
1756-CNB
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1756-IF16
1756-L61
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80350A
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140DDI35310
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1756-TBCH
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MV156-MCM
FCP270