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有许多的系统应用场合，需要由外部的单一信号、键盘或甚至串行通信信号来激发MCU启动整体系统的运作。在未被激发的时候，微控制器或甚至大部分的整机需要处于***低耗电的待机状态，以延长电池的寿命。能够在各种需求下被唤醒，也成为微控制器的重要特征。MCU能拥有各式不同的唤醒方式，包括各I/O可作为激发唤醒的通道，或是由I2C、UART、SPI的信道作为被外界组件触发唤醒，或使用内、外部的超低耗电时钟源，通过Timer来计时唤醒。诸多的唤醒机制，只要运用得当，并配合微控制器的低功耗工作切换模式，可以使MCU几乎时时处于极低功耗的状况。

配有快速、***率内核的MCU，可以在每次唤醒的当下短暂时间里，完成应有的工作与反应，并再次进入深层的低待机模式，以此达到平均耗能下降的目的。但是，如果唤醒后开始执行微指令的时间因为某些因素而拖延得很长，将会使降低总体耗电的目标大打折扣，甚至达不到系统反应的要求。因此，有些MCU，配合起振时间的改进，逻辑设计的配合，使得唤醒后执行指令的时间至少降到数个微秒之内。

3.7 低功耗模拟外设及内存

低功耗MCU在运行时除了CPU内核及被使能的数字外围电路在工作外，越来越多被集成到内部的模拟外围电路也是耗电的主要来源。以***简单的while (1);执行语句来分析运行功耗，共包含下列耗电来源：CPU内核、时钟振荡器、嵌入式闪存内存、及LDO本身的消耗电流。代入以下典型值数据将会更清楚显示各个部分对耗电的影响：

● 工作频率12MHz，MCU电压3V，LDO输出1.8V供给CPU内核、内存及其他数字电路

● 低功耗Cortex-M0内核：600μA

● 嵌入式闪存内存：1.5mA

● 低功耗12MHz晶振电路：230μA

● LDO本身的静态消耗电流：70μA

● 总和 = 0.6 + 2 + 0.23 + 0.07 = 2.4mA，平均功耗约200μA/MHz

其中耗电比例***高的是嵌入式闪存内存。如果要工作在更高频率，通常会启动内置的PLL提供更高频率的时钟源，在1.8V供电的典型PLL，12MHz输入输出48MHz工作电流约为1~2mA，如果不能有效降低PLL耗电，对高频工作的低功耗MCU将是一大电流负担。

LDO的***低静态功耗、32.768kHz晶振电路、BOD及TN LCD驱动电路的工作电流，都会大大影响到待机或RTC模式的功耗指针。以低功耗应用的热能表为例，RTC加LCD显示的功耗要求在3V/8μA以下，这代表可以预估分配给下列电路的电流预算为：LDO静态功耗0.5μA + 32.768kHz晶振及RTC电路1μA + BOD 1μA + TN LCD驱动4μA + LCD玻璃1μA + 所有数字电路及模拟外设漏电流0.5μA。这些模拟外设除了低耗电要求，同时必须兼具要求批量生产及温度变化时的一致性，这对模拟设计人员将是一大挑战。

快速唤醒这个性能指针也会影响到下列模拟外设的稳定时间。当MCU从低耗电的待机模式唤醒时，首先要将LDO快速切换到高供电模式，启动内部高速RC振荡器，使能嵌入式闪存及CPU，以上所有电路的稳定时间总和必须在数个微秒内完成，才能符合快速唤醒的需求。