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艺炫电子科技——mos管

MOS管相比于三极管，电子元器件价格，开关速度快，导通电压低，电压驱动简单，电子元器件厂家***，所以越来越受工程师的喜欢，然而，若不当设计，哪怕是小功率MOS管，也会导致芯片烧坏，原本想着更简单的，***后变得更加复杂。这几年来一直做高频电源设计，也涉及嵌入式开发，对大小功率MOS管，都有一定的理解，所以把心中理解的经验总结一番，形成理论模型

艺炫电子科技——MOS管

MOS管重要参数

①封装

②类型（NMOS、PMOS）

③耐压Vds（器件在断开状态下漏极和源极所能承受的电压）

④饱和电流Id

⑤导通阻抗***

⑥栅极阈值电压Vgs(th)

用万用表辨别NNOS、PMOS

借助寄生二极管来辨别。将万用表档位拨至二极管档，红表笔接S，黑表笔接D，有数值显示，反过来接无数值，说明是N沟道，若情况相反是P沟道

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p型mos管应用

一般用于管理电源的通断，属于无触点开关，栅极低电平就完全导通，电子元器件在线咨询，高电平就完全截止。而且，栅极可以加高过电源的电压，意味着可以用5v信号管理3v电源的开关，这个原理也用于电平转换。

n型mos管应用

一般用于管理某电路是否接地，属于无触点开关，栅极高电平就导通导致接地，成都元器件，低电平截止。当然栅极也可以用负电压截止。其高电平可以高过被控制部分的电源，因为栅极是隔离，所以也可以用5v信号控制3v系统的某处是否接地。