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艺炫电子科技——MOS管

MOS管发热四大关键因素。

1.芯片发热，假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为：I=cvf

2.功率管发热，mos管，功率管的功耗分成两部分，开关损耗和导通损耗。

3.工作频率降频，输入电压和负载电压的比例小、系统干扰大。

4.电感或者变压器的选择，

艺炫电子科技——大功率MOS管

大功率MOS管构造

在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N 区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N沟道（NPN型）增强型MOS管。显然它的栅极和其它电极间是绝缘的

艺炫电子科技——大功率MOS管

P-MOS通常用作电源的开关，控制设备的电源打开或者关闭。

如上图，默认状态下LCD_PWR_EN是被拉低的，T2001关断，直插mos管厂家，P-MOS的控制端（U2003的pin1，G极）是高电平，VGS=0，此时P-MOS关断，电压没有输出到右边。

如果GPIO被拉高，T2001导通，MOS管G极被拉低，VGS=VBAT，超过了打开电压，此时P-MOS被打开，电压有输出到右侧。

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MOS管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，高压mos管批发，或者称是金属—绝缘体（insulator） —半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两 端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

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MOS失效的原因

1：雪崩失效（电压失效），也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。

2：SOA失效（电流失效），既超出MOSFET安全工作区引起失效，国产mos管哪家好，分为Id超出器件规格失效以及Id过大，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。

3：体二极管失效：在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受***而导致的失效。

4：谐振失效：在并联使用的过程中，栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。

5：静电失效：在秋冬季节，由于***及设备静电而导致的器件失效。

6：栅极电压失效：由于栅极遭受异常电压尖峰，而导致栅极栅氧层失效。