场效应管价格-深圳场效应管-艺炫mos管(查看)

艺炫电子科技——mos管

额定电压越大，器件的成本就越高。从成本角度考虑，需要确定所需的额定电压，即器件所能承受的电压。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压，一般会留出1.2~1.5倍的电压余量，这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。

就选择MOS管而言，必须确定漏源极间可能承受的电压，即VDS。由于MOS管所能承受的电压会随温度变化而变化，设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。

此外，设计工程师还需要考虑其他安全因素：如由开关电子设备(常见有电机或变压器)诱发的电压瞬变。另外，不同应用的额定电压也有所不同；通常便携式设备选用20V的MOS管，FPGA电源为20～30V的MOS管，深圳场效应管，85～220V AC应用时MOS管VDS为450～600V

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MOS管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator） —半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，场效应管批发，即使两 端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

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MOS失效的原因

1：雪崩失效（电压失效），也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。

2：SOA失效（电流失效），既超出MOSFET安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大，场效应管哪家好，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。

3：体二极管失效：在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受***而导致的失效。

4：谐振失效：在并联使用的过程中，栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。

5：静电失效：在秋冬季节，由于***及设备静电而导致的器件失效。

6：栅极电压失效：由于栅极遭受异常电压尖峰，而导致栅极栅氧层失效。

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米勒振荡是一个很核心的一环，尤其是超过100KHz以上的频率，做超高频感应加热电源的，工作频率在500K~1MHz范围，功率大于5KW，拓扑结构是LLC电路，H桥输出，此外为了实现功率线性可调节，采用40Hz PWM调制，可以理解为H桥以25mS为周期，不停的开始，关闭，而因为感应加热设备的负载是并联LC谐振环，这样每一次的开始等价于输出短路