深圳元器件-找艺炫-电子元器件厂家

艺炫电子科技——MOS管

MOS管怎么检测好坏

mos管是金属—氧化物-半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，电子元器件厂家，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管，叫做场效应管(FET)，把输入电压的变化转化为输出电流的变化

艺炫电子科技——MOS管

MOS管重要参数

①封装

②类型（NMOS、PMOS）

③耐压Vds（器件在断开状态下漏极和源极所能承受的电压）

④饱和电流Id

⑤导通阻抗***

⑥栅极阈值电压Vgs(th)

用万用表辨别NNOS、PMOS

借助寄生二极管来辨别。将万用表档位拨至二极管档，红表笔接S，黑表笔接D，有数值显示，反过来接无数值，说明是N沟道，若情况相反是P沟道

艺炫电子科技——大功率MOS管

大功率MOS管构造

在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N 区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N沟道（NPN型）增强型MOS管。显然它的栅极和其它电极间是绝缘的

艺炫电子科技——大功率MOS管

P-MOS通常用作电源的开关，控制设备的电源打开或者关闭。

如上图，默认状态下LCD_PWR_EN是被拉低的，T2001关断，P-MOS的控制端（U2003的pin1，G极）是高电平，VGS=0，此时P-MOS关断，深圳元器件，电压没有输出到右边。

如果GPIO被拉高，电子元器件在线咨询，T2001导通，MOS管G极被拉低，VGS=VBAT，超过了打开电压，此时P-MOS被打开，电压有输出到右侧。