艺炫电子科技——MOS管
开关电源(***PS)技术依托电源半导体开关设备，如金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和绝缘门双极晶体管(IGBT)。这些设备提供了快速开关时间，能够耐受没有规律的电压峰值。同样重要的是，其在 On 状态或 Off 状态下消耗的功率非常小，实现了很高的效率，而生成的热量很低。开关设备在极大程度上决定着 ***PS 的整体性能。开关设备的关键测量项目包括开关损耗、平均功率损耗等等。
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MOS管的散热，选用时，不仅仅是看通过的电流满足即可，要考虑热问题，特别是大电流情况下，场效应管批发，散热更需要当心，因为散热是个持续恶化的过程，苏州场效应管，温度高，场效应管型号，电阻大，电阻大，温度更高，所以散热需要特别注意。考虑到散热和安装过程关系密切，是在产品实际长时间工作，极限状态下，用热红外测一下，有一定余量。
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mos管隔离驱动电路，如果驱动高压MOS管，场效应管哪家好，我们需要采用变压器驱动的方式和集成的高边开关。这两个解决方案都有自己的优点和缺点，适合不同的应用。集成高边驱动器方案很方便，优点是电路板面积较小，缺点是有很大的导通和关断延迟。变压器耦合解决方案的优点是延迟非常低，可以在很高的压差下工作。常它需要更多，缺点是需要很多的元件并且对变压器的运行有比较深入的认识
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