STF15N80K5供应原装ST MOS管
产品属性选取全部项目类别分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单制造商STMicroelectronics系列SuperMESH5
包装管件 零件状态在售FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）Drain to Source Voltage (Vdss)800V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）14A（Tc）驱动电压（***大 *** On，***小 *** On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（***大值）5V @ 100µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（***大值）32nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（***大值）1100pF @ 100VVgs（***大值）&plu***n;30VFET 功能-功率耗散（***大值）35W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 *** On（***大值）375 毫欧 @ 7A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220FP封装/外壳TO-220-3 整包
包装管件 零件状态在售FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）Drain to Source Voltage (Vdss)800V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）14A（Tc）驱动电压（***大 *** On，***小 *** On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（***大值）5V @ 100µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（***大值）32nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（***大值）1100pF @ 100VVgs（***大值）&plu***n;30VFET 功能-功率耗散（***大值）35W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 *** On（***大值）375 毫欧 @ 7A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220FP封装/外壳TO-220-3 整包