T***101AIDT现货供应ST MOS管
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类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 STMicroelectronics
系列 SuperMESH5™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）
驱动电压（***大 *** On，***小 *** On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（***大值） 5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（***大值） 32nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（***大值） 1100pF @ 100V
Vgs（***大值） &plu***n;30V
FET 功能 -
功率耗散（***大值） 35W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 *** On（***大值） 375 毫欧 @ 7A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220FP
封装/外壳 TO-220-3 整包
